지난 5년이내 중국의 행보 특이점
미국이 기존기술에 대한 수출을 통제해?
그러면 새로운 기술을 창조해서 만들어낸다...
무에서 유를 만들어내고 있음
CXMT의 새로운 LPDDR5X 반도체가 다이당 메모리 용량을 16Gb에서 24Gb로 50% 늘린 방법
언론에 보도된 12nm 하프피치(Half-Pitch)가 일반적인 반도체 공정의 12nm 노드와 동일한 개념이 아닌 이유
중국이 EUV 노광장비 없이 첨단 D램을 제조하는 방법
자기정렬 4중 패터닝(SAQP) 기술을 통해 심자외선(DUV) 노광장비로 극도로 미세한 메모리 구조를 구현하는 원리
미국의 반도체 수출 통제가 중국의 첨단 D램 기술 발전을 제한하도록 설계된 배경
CXMT가 스마트폰용 메모리에서 서버용 메모리로 사업을 확장하고 주요 공급계약까지 확보한 과정
웨이퍼당 총 다이 생산량 증가가 제조원가를 낮출 수 있는 이유와 그럼에도 생산수율이 결정적으로 중요한 이유
첨단 D램 기술에서 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론과 CXMT의 기술 수준 비교
고대역폭 메모리(HBM)가 중국에 훨씬 더 어려운 기술적 과제로 남아 있는 이유
CXMT가 새로운 메모리 셀 설계와 수직형 트랜지스터를 활용하여 차세대 서버용 D램을 개발하려는 계획
세계 메모리 반도체의 수급 상황이 변화하는 가운데 중국 메모리 산업이 가격 경쟁력을 확보할 수 있을지에 대한 전망
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